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IGBT模块
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产品状态

封装

集电极-发射极电压VCES min.(V)

集电极电流IC @ TC=80℃(A)

饱和压降VCE(sat)typ.(V)

开关能量损耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃(mJ)

最大结-壳热阻 Rth(j-c)max.(℃/W)

型号 规格书 集电极-发射极电压VCES min.(V) 集电极电流 IC @ TC=80℃(A) 饱和压降 VCE(sat)typ.(V) 开关能量损耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃(mJ) 最大结-壳热阻 Rth(j-c)max.(℃/W) 封装 产品状态

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